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離子液體增強(qiáng)鈣鈦礦基晶體管的電荷傳輸

2024-11-20 13:42:31 sh默尼 6

在光電領(lǐng)域的研究者們心中,鈣鈦礦材料無疑是一顆冉冉升起的新星。自2009年首次亮相以來,鈣鈦礦材料具有低激子束縛能、高吸收系數(shù)、長載流子擴(kuò)散長度、高介電常數(shù)、可調(diào)帶隙和獨(dú)特的缺陷容忍性等優(yōu)異性質(zhì),在太陽能電池、發(fā)光二極管、光電探測器等領(lǐng)域展現(xiàn)出了驚人的潛力。尤其是在電場效應(yīng)晶體管(FETs)中的應(yīng)用中,鈣鈦礦為構(gòu)建高性能電子器件提供了新的可能性。


然而,鈣鈦礦材料在FETs中的應(yīng)用面臨著諸多挑戰(zhàn),尤其是其離子特性導(dǎo)致的低性能和制造困難等問題。鈣鈦礦中的離子缺陷,如鉛/碘空位會(huì)引起電場的極化和電流-電壓遲滯現(xiàn)象,影響器件的穩(wěn)定性和性能。為了克服這些限制,研究人員探索了多種方法來改善鈣鈦礦FETs的性能,包括界面工程、成分工程和溶劑工程等。

離子液體(ILs)是一類在室溫下呈液態(tài)的鹽,具有優(yōu)異的電化學(xué)穩(wěn)定性和離子導(dǎo)電性。它們的離子成分賦予了材料高電導(dǎo)率和良好的電化學(xué)活性,這使得離子液體在能源存儲(chǔ)、電化學(xué)傳感器和光電領(lǐng)域都有著廣泛的應(yīng)用前景。已有研究表明,離子液體引入到鈣鈦礦基晶體管中可有效提高器件的性能,這與通過替換和/或鈍化表面缺陷、晶界和體相中的缺陷來減少遲滯現(xiàn)象有關(guān)。

基于此,東國大學(xué)Jea Woong JoBenjamin Nketia-Yawson團(tuán)隊(duì)通過在聚(3-己基噻吩)(P3HT)功能化的電解質(zhì)門控鈣鈦礦FETs中引入固態(tài)離子液體(ss-IL)添加劑,實(shí)現(xiàn)了對(duì)鈣鈦礦層中離子缺陷的抑制。這種ss-IL添加劑不僅減少了鉛/碘空位和相關(guān)陷阱,還提高了空穴遷移率,并在環(huán)境條件下展示了出色的操作穩(wěn)定性。
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