從2008年開始,研究者發(fā)現(xiàn)固液界面雙電層 (EDL)效應能夠有效誘導與調(diào)制1014 – 1015 cm-2 范圍內(nèi)的高載流子濃度,使得材料內(nèi)電子、磁、光學和拓撲相變的操縱變得可行。研究結(jié)果表明EDL門控技術(shù)不僅可以塑造和設計可重構(gòu)量子材料的特性,超越傳統(tǒng)半導體器件的能力,而且還可以模仿人類大腦中突觸開關(guān)的超低功耗器件概念。
令人振奮的是,EDL門控技術(shù)已經(jīng)成為功能材料物性調(diào)控和器件物理研究的重要手段,誘導材料新奇物理特性和新的亞穩(wěn)相,為引人入勝的EDL門控領(lǐng)域同時增加了復雜性和潛力。雖然潛在的應用是誘人的,但理解EDL門控過程的機制仍然需要進一步的探索。最初認為的純靜電場效應導致載流子注入的假設過于簡單化,隨后的研究已經(jīng)明確EDL門控過程中由電化學相互作用驅(qū)動的離子運動具有普遍性和幾乎不可避免性,尤其在驅(qū)動電壓超過電解質(zhì)擊穿閾值時。
傳統(tǒng)電解質(zhì)門控EDL效應將離子的輸運與載流子的生成結(jié)合起來,但僅在相對較高電壓下才能實現(xiàn)對器件溝道材料物性的有效調(diào)控,而這必然引起溝道材料晶體或化學結(jié)構(gòu)中不可預見的缺陷,從而導致器件性能的不可靠性。因此,一方面為實現(xiàn)小型化器件低功耗調(diào)控,另一方面為排除電化學反應在EDL門控過程中的影響研究其調(diào)控機制,開發(fā)低電壓(特別是亞伏特區(qū)間)EDL門控電解質(zhì)對于該領(lǐng)域研究具有重要的實際與理論意義。
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