下圖給出了LiTFSI-DMU體系的電導(dǎo)率與溫度的關(guān)系．曲線a表示n(LiTFSI):n(DMU)=l∶2，室溫電導(dǎo)率為9.71×10-6S/cm，50 C電導(dǎo)率為1.26×10-4S/cm;曲線b表示n(LiTFSI):n(DMU)=1:3，50 C電導(dǎo)率為3.5×10-4S/cm，而室溫時(shí)為固體，電阻太大，目前其阻抗譜無法測(cè)定﹔曲線c表示n(LiTFSI):n(DMU)=1 ∶4.a的電導(dǎo)率與溫度關(guān)系也符合VTF方程，其導(dǎo)電活化能E=3.52 kJ/mol，比 LiTFSI-NMU體系高．因而LiTFSI-DMU體系的電導(dǎo)率比LiTFSI-NMU體系在相同條件下的電導(dǎo)率低.LiTFSI 與尿素、NMU和DMU形成的低共熔化合物，電導(dǎo)率與溫度的關(guān)系都符合VTF方程．但隨著脲上取代基的增加，與鋰離子形成的配位陽(yáng)離子增大，離子遷移速率降低﹔同時(shí)體系的導(dǎo)電活化能增大，因而LiTFSI-DMU體系的電導(dǎo)率最低.